3. 電橋配置的影響

• 全橋配置（4片應(yīng)變片）：
  兩對(duì)應(yīng)變片分別受拉/壓，總電阻變化為單片的4倍，但電橋輸出為電壓差，電阻變化絕對(duì)值仍與單片相同（僅信號(hào)靈敏度提升）。

• 半橋配置（2片應(yīng)變片）：
  電阻變化量為單片的2倍，但同樣以電壓形式輸出。

4. 實(shí)際輸出電阻變化范圍

• 典型值：
  單應(yīng)變片電阻變化通常為 ±0.5Ω 至 ±5Ω（對(duì)應(yīng)量程和設(shè)計(jì)不同）。
  全橋測(cè)力傳感器的等效輸出阻抗（靜態(tài)）仍為標(biāo)稱(chēng)值（如350Ω），但動(dòng)態(tài)電阻變化量取決于應(yīng)變片組合。

• 示例場(chǎng)景：

  • 量程較小的測(cè)力傳感器（如10kg）：ΔR ≈ ±0.5Ω；

  • 量程較大的測(cè)力傳感器（如10噸）：ΔR ≈ ±3Ω。

    5. 輸出信號(hào)與電阻變化的關(guān)系

    盡管電阻變化絕對(duì)值較小，但通過(guò)惠斯通電橋可放大為可測(cè)電壓信號(hào)：

    Vout?=Vex?⋅（ΔR/4R0?）

    Vex?：激勵(lì)電壓（如10V）；
    ΔR：電阻變化量。

     

    示例：若ΔR=1.4Ω，Vex?=10V，則：
    Vout?=10V⋅(1.4Ω?/4×350Ω)≈0.01V=10mV
    此時(shí)電阻變化雖小，但電壓信號(hào)已足夠放大檢測(cè)。
    

    6. 關(guān)鍵影響因素

    1. 溫度漂移：
       溫度變化可能導(dǎo)致電阻變化誤差，需選擇溫度補(bǔ)償型應(yīng)變片或傳感器。

    2. 線性度：
       彈性體形變與電阻變化需保持線性關(guān)系，通常在 0.1%–0.5% FS（滿(mǎn)量程）范圍內(nèi)。

    3. 長(zhǎng)期穩(wěn)定性：
       材料蠕變或老化可能導(dǎo)致電阻緩慢偏移。

    ---

    7. 總結(jié)

    • 電阻變化范圍：典型 ±0.5Ω 至 ±5Ω（與量程和設(shè)計(jì)相關(guān)）；

    • 實(shí)際應(yīng)用：電阻變化通過(guò)電橋轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)，需搭配高精度放大器（如儀表放大器）和低噪聲采集電路；

    • 選型建議：參考壓力傳感器手冊(cè)中的 靈敏度（mV/V） 和 額定輸出（mV），結(jié)合激勵(lì)電壓計(jì)算實(shí)際信號(hào)范圍。

      

      如需精確設(shè)計(jì)，需根據(jù)具體型號(hào)的應(yīng)變系數(shù)、量程和電橋配置進(jìn)行詳細(xì)計(jì)算。