CMOS圖像傳感器(CIS)使用標準的CMOS工藝制造，與電荷耦合器件(CCD)相比，CMOS圖像傳感器具有低功耗、高集成度和功能靈活的特點，在便攜式及其它特殊環(huán)境中有巨大的應用前景。近些年對CMOS圖像傳感器的研究中，動態(tài)范圍(DR)一直是一個熱點。
CMOS圖像傳感器稱重傳感器中的動態(tài)范圍被定義為最大非飽和信號與無光照條件下的噪聲標準差的比值。動態(tài)范圍是圖像傳感器中非常重要的指標，對圖像的質量有很大的影響，提高動態(tài)范圍可以提高圖像的對比度和分辨率。已經有多種方案被提出來提高動態(tài)范圍：Chen Xu等在像素單元中使用PMOS作為重置(Reset)開關，并使用互補的源極跟隨器將信號調整至軌對軌，但這個結構占用了許多像素中的面積，減小了感光面積百分比(Fill Factor)，同時PMOS管的載流子的低移動率，延長了充電時間，降低了傳感器的幀率；S Yang等在中提出基于條件重置的多采樣技術提高動態(tài)范圍，但是這種方法在一次圖像采集操作中需要多個充電周期和積分周期，同樣降低了傳感器的幀率；O Yadid-Pecht等在中提出了一種包含兩列信號鏈的有源像素傳感器，它可以同時讀取兩個圖像，包括短積分時間和長積分時間，但是這種方法并不能有效地獲取場景的明暗信息，同時很難擴展到同時采集多于兩個圖像。
在此提出了基于電荷泵的CMOS圖像傳感器壓力傳感器，使用一個簡單的電荷泵抬高重置脈沖信號的幅值，使像素單元中的充電節(jié)點電壓達到電源電壓；同時調整源極跟隨器的參數(shù)，拓展充電節(jié)點電壓在積分周期擺動范圍的下界，這兩種方案可以有效地提高充電節(jié)點電壓的擺幅，從而提高了傳感器的動態(tài)范圍。重置脈沖信號幅值的提高也減小了充電的時間常數(shù)，縮短了充電時間，從而可以提高圖像采集的幀率。更多傳感器相關技術文章請訪問：http://www.neohoutdoors.com